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一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法

摘要

本发明公开了一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法,包括以下步骤:(1)用氢氟酸和硝酸混合液或强碱去除硅片表面的损伤层;(2)用金属盐和氢氟酸混合液在硅片表面沉积金属,或利用磁控溅射方法在硅片表面形成一层贵金属膜;(3)用氢氟酸和高碘酸钾混合液刻蚀硅片;(4)用氨水和双氧水混合液清洗硅片或氢氟酸和硝酸混合液清洗硅片去除金属,即可制得黑硅。采用本发明制备的黑硅,成本低廉、工艺稳定,黑硅结构可控且可获得极低的反射率。

著录项

  • 公开/公告号CN105551953B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏辉伦太阳能科技有限公司;

    申请/专利号CN201610071219.X

  • 发明设计人 蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保;汪洋;

    申请日2016-02-01

  • 分类号

  • 代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;

  • 代理人董建林

  • 地址 210061 江苏省南京市浦口高新开发区星火路1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-06

    授权

    授权

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20160201

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    公开

    公开

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