掺氢非晶硅对高功率半导体激光器腔面钝化的研究

摘要

随着科技的发展，社会对高功率半导体激光器的需求越来越大，但是当激光器输出腔面的光功率密度超过6-15MW/cm2时，激光器很可能会发生灾变，从而严重的限制了激光器的功率输出，制约了高功率半导体激光器的应用。 本研究为提高激光器的光学灾变(COD)阈值，进而提高输出功率，采用了腔面镀膜的钝化方法。从薄膜光学原理出发，选用a-Si:H和SiO2作为镀膜材料，进行了膜系设计，利用磁控溅射镀膜机，通过测试和理论分析，找到了最佳工艺条件，成功制作了腔面膜。把优化后的a-Si:H薄膜生长工艺应用到激光器上，采用a-Si:H/SiO2高、低折射率材料做高反射膜，仅用3对就使反射率在808nm处达到97.79％，得到了较为理想的激光输出特性。

目录

文摘

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第一章绪论

1.1半导体激光器腔面钝化的发展

1.2高功率半导体激光器腔面薄膜的发展

1.3论文研究目的及内容

第二章激光器的工作原理及光学灾变

2.1激光器的工作原理

2.2激光器的光学灾变

第三章薄膜光学理论

3.1薄膜光学的电磁理论基础

3.2光学薄膜的光学特性计算方法

第四章高功率半导体激光器腔面膜的设计

4.1薄膜材料的选择

4.2腔面膜的设计

第五章薄膜的制备

5.1薄膜的制备装置及其工作原理

5.2薄膜的制备工艺

5.3实验结果

第六章薄膜的测试及分析

6.1掺氢非晶硅制备实验结果分析

6.2在激光器上的应用测试及分析

6.3高反射膜的附着力和致密性测试及分析

结 论

致谢

参考文献