垂直腔面发射半导体激光器绝缘膜工艺研究

摘要

垂直腔面发射半导体激光器，是一种新型的半导体激光器，具有阈值电流低，功耗小，效率高，发散角小等优点，在光互连和光信息等领域有广泛的应用前景。
　　本文在简要介绍垂直腔面发射半导体激光器的定义和结构原理的基础上，阐述了VCSEL的研究进展及应用情况，并对VCSEL制备工艺中部分工艺进行研究和优化；概述了VCSEL完整的制备工艺流程；采用磁控溅射的方法制备了具有高热导率的A1N薄膜，并利用SEM，分光光度计等对薄膜进行了测试，并对结果进行了分析，利用ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟分析，得到了薄膜厚度对薄膜形貌，透射率等性能的影响规律；对封装工艺进行了改进，提高了器件性能。