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论文说明:图表目录
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第1章绪论
1.1引言
1.2碳纳米管的结构
1.3碳纳米管的制备及纯化
1.4碳纳米管的结构检测
1.5碳纳米管的电磁性质
1.6碳纳米管的应用前景
1.7本文的工作和目的
第2章基于第一性原理的非平衡格林函数方法
2.1引言
2.2密度泛函理论
2.2.1波恩—奥本海默(Born-Oppenheimer)近似
2.2.2 Hartree-Fock近似
2.2.3 Hohenberg-Kohn定理
2.2.4 KS方程
2.2.5局域密度近似
2.2.6赝势近似
2.3结合密度泛函和非平衡格林函数方法的电子输运
2.3.1边界条件和电子散射态
2.3.2密度矩阵
2.3.2复围道积分
2.3.3计算非平衡密度矩阵的自洽方法
2.3.4非平衡有效势
2.3.5电导公式
2.4本章小结
第3章氮掺杂单壁碳纳米管的电子输运特性
3.1引言
3.2计算模型和方法
3.3结果分析与讨论
3.3.1理想管掺杂前后的电子结构
3.3.2(8,0)管掺杂前后的透射系数
3.3.3掺杂前后的电压-电流曲线特性
3.4高浓度氮掺杂管的电子输运性能
3.5本章小结
第4章含氮复合缺陷在碳管输运中的研究
4.1引言
4.2 SW缺陷掺杂对碳管的电子输运的影响
4.2.1 SW缺陷掺杂管结构分析
4.2.2含SW缺陷管掺杂管的电子结构
4.2.3 SW缺陷中氮掺杂不同位置对输运的影响
4.3含氮的空位缺陷对电子输运的影响
4.3.1半导体管中的复合缺陷的影响
4.3.2金属型碳管中的复合缺陷
4.4本章小结
第5章硼掺杂单壁碳纳米管的电子输运
5.1引言
5.2计算模型和方法
5.3掺杂对电子结构的影响
5.4硼掺杂对输运性能的影响
5.5本章小结
第6章门电压情况下的掺杂纳米管输运模拟
6.1引言
6.2门电压下硼掺杂管的模拟
6.3门电压下氮掺杂管的模拟
6.4本章小结
结论与展望
参考文献
致谢
附录A 攻读学位期间所发表学术论文