首页> 中文学位 >基于CIGS太阳能电池陷光结构的ZnO纳米线阵列制备与性能研究
【6h】

基于CIGS太阳能电池陷光结构的ZnO纳米线阵列制备与性能研究

代理获取

目录

声明

摘要

第一章绪论

1.1研究背景

1.1.1 CIGS太阳能电池的研究现状

1.1.2陷光结构的基本原理

1.1.3陷光结构应用于太阳能电池的研究现状

1.2一维ZnO纳米阵列的制备及其应用

1.2.1电沉积法合成一维ZnO纳米结构

1.2.2一维ZnO纳米陷光结构在薄膜太阳能电池中的应用

1.3 ZnO纳米线阵列陷光结构的CIGS太阳能电池的结构

1.4论文课题内容、研究意义及研究的创新性

1.4.1课题内容

1.4.2课题研究意义

1.4.3课题研究创新性

第二章实验方法

2.1实验材料与设备

2.1.1实验材料

2.1.2实验仪器与设备

2.2实验方案

2.2.1实验路线

2.2.2实验内容

第三章ZnO纳米线阵列/CdS/CIGS/Mo层的结构与性能分析

3.1.1物相分析

3.1.2表面微观形貌

3.1.3化学组成

3.1.4光学特性

3.2缓冲层CdS的研究

3.2.1物相分析

3.2.2表面微观形貌

3.2.3化学组成

3.2.4光学特性

3.3磁控溅射CIGS层和Mo层

3.4本章小结

第四章ZnO纳米阵列对太阳能电池性能的影响

4.1 FTO/ZnO纳米线阵列/CdS/CIGS/Mo结构的太阳能电池的测试

4.2 FTO/ZnO纳米线阵列/CdS/CIGS/Mo结构的太阳能电池性能分析

4.3本章小结

结论与展望

参考文献

致谢

附录

展开▼

摘要

铜铟镓硒[Cu(In,Ga)Se2,CIGS]薄膜太阳能电池具有光电转换效率高、稳定性高、成本较低、弱光响应性好、无光致衰减效应、可柔性化等诸多优点,一直备受关注,也是目前实现规模化应用的一种最好的薄膜太阳能电池。CIGS薄膜太阳能电池结构中透明导电前电极与光吸收层(n型CdS/p型CIGS层)之间需要一个较高电阻率的缓冲层(i-ZnO层)。ZnO纳米线阵列具有巨大的比表面积、不平整绒面结构、电阻率可调等特点,用ZnO纳米线阵列作为CIGS太阳能电池的缓冲层,可以增大接触面积,加快电子传输,而且纳米线阵列的绒面结构起到陷光作用,增强了电池对太阳光的捕获效率,从而进一步提高电池的光电转换效率。 本文探讨了应用于CIGS太阳能电池的ZnO纳米线的制备工艺,通过电化学沉积法在FTO玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列,调节沉积电位、电沉积溶液浓度、沉积时间等工艺参数,研究其对ZnO纳米线阵列形貌与性能的影响,然后依次通过化学水浴沉积CdS层、磁控溅射CIGS层和Mo层获得FTO/ZnO纳米线阵列/CdS/CIGS/Mo结构的太阳能电池,并通过测试I-V曲线表征电池的光电转换性能。主要研究结果如下: (1)研究了沉积电位对ZnO纳米线阵列的形貌与性能的影响。结果表明,其他工艺参数相同,在阴极还原电位U分别为-1.4V、-1.5V、-1.6V时,电位为-1.5V沉积的ZnO纳米阵列呈六方柱体,侧面光滑,结构致密,均匀度好。 (2)比较了锌源(Zn2+)浓度为0.0025M/L、0.003M/L、0.004M/L三种溶液电沉积制备ZnO纳米线阵列。结果表明,当锌源(Zn2+)浓度为0.004M/L时,浓度积超过Zn(OH)2溶度积常数,易产生Zn(OH)2沉淀。锌源(Zn2+)浓度为0.003M/L和0.0025M/L的溶液制备ZnO纳米线阵列,长度分别为300-400nm和200-300nm,锌源(Zn2+)浓度为0.0025M/L的溶液生成的ZnO纳米阵列更利于CIGS太阳能电池光转化效率的提高。 (3)研究了电沉积时间参数对ZnO纳米线阵列形貌与性能的影响。结果表明,不同沉积时间制备的ZnO纳米线阵列形貌和尺寸都存在一定的差异。其中,沉积20min的ZnO纳米线阵列长度为200-300nm、直径为50nm左右符合CIGS薄膜太阳能电池所需ZnO纳米线阵列结构。 (4)在最佳的ZnO纳米线阵列制备工艺参数条件下:沉积电位为-1.5V、溶液浓度为0.0025M/L、沉积时间20min,所获得的CIGS太阳能电池光电转换效率最优。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号