声明
本论文的创新点
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 金属氧化物半导体场效应晶体管
1.3 典型的二维半导体及其性能特性
1.4 二维半导体范德华异质结的集成方法
1.5二维半导体范德华异质结器件的研究现状
1.6本论文的选题意义及主要研究内容
1.7 本章小结
第二章 范德华异质集成GaN纳米线顶栅MoS2短沟道晶体管
2.1 引言
2.2 GaN纳米线顶栅MoS2短沟道晶体管的制备
2.3 GaN纳米线顶栅MoS2短沟道晶体管的工作机理
2.4 GaN纳米线顶栅MoS2短沟道晶体管的电学性能测试
2.5 GaN纳米线顶栅MoS2短沟道晶体管的界面研究
2.6本章小结
第三章 性能可调控的GeSe/WSe2范德华异质结光探测器
3.1 引言
3.6 本章小结
第四章 高性能的MoS2/碳纳米管薄膜范德华异质结光电存储器
4.1 引言
4.2 集成MoS2/碳纳米管薄膜范德华异质结
4.3 MoS2/碳纳米管薄膜异质结光电存储器的光学和电学特性
4.4 MoS2/碳纳米管薄膜异质结光电存储器的光存储机制
4.5 MoS2/碳纳米管薄膜异质结光电存储器的存储特性
4.6基于M oS2/碳纳米管薄膜异质结制备三进制CM OS反相器
4.7 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 主要研究成果与结论
5.2 后续工作与展望
参考文献
博士期间发表的论文目录及获奖情况
A). 发表的论文目录
B). 博士期间获得的主要奖励
致谢
