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目录
1 绪论
1.1 引言
1.2 非易失性存储器现状
1.3 忆阻器简介
1.4 忆阻器的研究进展
1.5 常见的忆阻机制
1.6 本文选题意义及研究内容
2 硫系化合物忆阻器制备工艺与测试方法
2.1 硫系化合物忆阻器制备工艺
2.2 忆阻器测试方法及系统
3 Ge2Sb2Te5忆阻器在非晶态下的忆阻特性研究
3.1 引言
3.2 Ge2Sb2Te5忆阻器原型器件的制备与薄膜表征
3.3 基于非活性电极的Ge2Sb2Te5忆阻器原型器件
3.4 采用活性Ag电极的Ge2Sb2Te5忆阻器原型器件
3.5 本章小结
4 Ag5In5Sb60Te30忆阻器的电阻调控研究
4.1 引言
4.2 Ag5In5Sb60Te30忆阻器原型器件的制备与薄膜表征
4.3 AgInSbTe忆阻器的直流I-V特性研究
4.4 AgInSbTe忆阻器的阻变机制
4.5 AgInSbTe忆阻器的电阻调控特性
4.6 同一器件中单极性和双极性阻变模式的共存
4.7 本章小结
5 Sb2Te3忆阻器原型器件特性研究
5.1 引言
5.2 Sb2Te3忆阻器原型器件的制备和薄膜表征
5.3 Sb2Te3忆阻器原型器件的直流I-V特性
5.4 Sb2Te3忆阻器在脉冲激励下的电学特性
5.5 Sb2Te3忆阻器原型器件的阻变机制
5.6 本章小结
6 结论与展望
6.1 结论
6.2 下一步研究展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录
附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利
华中科技大学;