声明
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 影响半导体气敏性能的因素
1.2.1 金属氧化物组成
1.2.2 物相
1.2.3 形貌
1.2.4 颗粒尺寸
1.3 提升半导体金属氧化物气敏性能的途径
1.3.1 异质结
1.3.2 贵金属负载
1.3.3 离子掺杂
1.4 气敏机理
1.4.1 离子吸附模型
1.4.2 氧空位模型(还原-再氧化模型)
1.5 本论文选题意义及研究内容
1.5.1 选题意义
1.5.2 研究内容
第二章 C掺杂的多孔WO3空心球的制备及其对痕量丙酮的气敏性能研究
2.1 前言
2.2 实验部分
2.2.1 化学试剂及仪器
2.2.2 结构表征
2.2.3 气敏性能表征
2.2.4 碳球的制备
2.2.5 C掺杂的多孔WO3空心球的制备
2.3 结果与讨论
2.3.1 材料表征
2.3.2 材料气敏性能研究
2.4 小结
第三章 Fe,C共掺杂的WO3微球的制备及其对丙酮的气敏性能研究
3.1 前言
3.2 实验部分
3.2.1 化学试剂及仪器
3.2.2 结构表征
3.2.3 Fe, C共掺杂的核桃状WO3微球的制备
3.3 结果与讨论
3.3.1 材料表征
3.3.2 材料气敏性能研究
3.4 小结
第四章 结论与展望
参考文献
在校期间发表的学术论文
致谢