声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 半导体纳米线概述
1.2.1 纳米线简介
1.2.2 纳米线的制备方法
1.2.3 半导体纳米线的结构与特性
1.3 GaN概述
1.3.1 GaN的理化特性
1.3.2 GaN的光电特性
1.3.3 GaN材料的制备方法
1.3.4 GaN基异质结研究进展
1.4 本文的研究意义及主要内容
参考文献
第二章 n-GaN/p-Cu2O纳米线异质结的制备及其发光特性
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 样品的制备
2.2.2 样品的表征
2.3 结果与讨论
2.3.1 GaN/Cu2O异质结的形貌、结构及成分分析
2.3.2 光致发光特性
2.4 本章小结
参考文献
第三章 单根n-ZnO/p-AlGaN异质结纳米线的制备及其光电特性
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 样品的制备
3.2.2 样品的表征
3.3 结果与讨论
3.3.1 场诱导表面光电压谱(FISPS)
3.3.2 形貌、结构及成分分析
3.3.3 单根异质结纳米线的Ⅰ-Ⅴ特性
3.3.4 电致发光特性(EL)
3.4 本章小结
参考文献
第四章 总结和展望
4.1 总结
4.2 展望
硕士期间发表的论文
致谢