文摘
英文文摘
1 绪论
1.1 引言
1.2 非易失性存储器的种类与特点
1.3 电阻式随机存储器(RRAM)简介
1.4 RRAM电阻转变机制研究进展
1.4.1 导电细丝路径的形成于断裂的机制
1.4.2 电荷注入引起金属-绝缘体转变的机制
1.4.3 电荷注入导致肖特基势垒改变机制
1.4.4 电子捕获诱发的电阻转变机制
1.4.5 场致氧离子电化学迁移机制
1.5 本文研究意义和内容
2 ,薄膜样品制备方法与表征
2.1 脉冲激光沉积(PLD)技术的优点
2.2 PLD制备Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)薄膜
2.2.1 靶材的烧制
2.2.2 薄膜沉积
2.3 PCMO薄膜相结构及电阻转变性能表征
2.3.1 相结构分析
2.3.2 PCMO薄膜电阻转变性能表征
3 不同方法制作Ag顶电极的Ag/PCMO异质结的阻变特性
3.1 Ag/PCMO/Pt异质结Ⅰ-Ⅴ特性曲线的比较与载流子输运机制
3.2 不同方法制作电极得到的Ag/PCMO/Pt异质结的阻态保持性以及疲劳性的比较
3.3 小结
4 Ag-Ti 合金电极的M/PCMO/Pt异质结阻变的研究
4.1 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt薄膜异质结的制备
4.2 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt异质结的Ⅰ-Ⅴ特性以及阻变机制的研究
4.2.1 不同金属顶电极的Ⅰ-Ⅴ特性曲线比较
4.2.2 Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt异质结的阻变机理的研究
4.3 不同金属项电极样品阻变的疲劳特性以及保持特性的分析
4.3.1 M/PCMO/Pt异质结阻变的疲劳特性
4.3.2 M/PCMO/Pt异质结阻变的保持特性
4.4 小结
5 La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)功能插层对阻变的影响
5.1 有无插层的样品Ⅰ-Ⅴ特征曲线
5.2 Ti/PCMO/LSMO/Pt与Ti/PCMO/Pt异质结电致电阻疲劳特性的比较
5.3 小结
6 结论与展望
6.1 论文总结
6.2 论文创新点
6.3 展望与进一步研究计划
参考文献
致谢
攻读学位期间取得的科研成果清单
河北师范大学;