声明
1 绪 论
1.1 稀磁半导体概述
1.2 铁磁性起源的理论模型
1.3 电场对磁性的调控研究
1.4 本论文的选题依据及意义
2 制备方法与表征技术
2.1 PAA模板的制备
2.2 磁控溅射沉积技术
2.3 薄膜样品表征方法
3 Ag/HfO2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控
3.1 引言内容
3.2 多孔HfO2薄膜的制备
3.3 HfO2薄膜结构和形貌的表征
3.4 多孔HfO2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究
3.5 Ag/HfO2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究
3.6 基于阻变效应,电场对HfO2/PAA(HP)复合薄膜磁性的调控
3.7 本章小节
4 Ag/MgO/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控
4.1 引言
4.2 多孔MgO薄膜的制备
4.3 多孔MgO薄膜结构和形貌的表征
4.4 多孔MgO薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究
4.5 Ag/MgO/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究
4.6 基于阻变效应,电场对MgO/PAA(MP)复合薄膜磁性的调控
4.7 本章小节
5 Ag/SnO2/PAA/Al器件中电阻转变与电场对磁性的调控
5.1 引言
5.2 多孔SnO2薄膜的制备
5.3 SnO2薄膜形貌的表征
5.4 多孔SnO2薄膜铁磁性的表征及磁性本质的研究
5.5 Ag/SnO2/PAA/Al器件的阻变行为及阻变效应机制的研究
5.6 基于阻变效应,电场对SnO2/PAA(SP)复合薄膜磁性的调控
5.7 本章小节
6 总结
6.1 结论
6.2 工作创新点
6.3 展望
参考文献
致谢
攻读博士学位期间取得的科研成果