声明
摘要
1．1引言
1．2半导体光催化反应机理
1．3影响半导体光催化反应速率的因素
1．3．1内因
1．3．2外因
1．4石墨相氮化碳(g-C3N4)的概述
1．4．1石墨相氮化碳的结构性质
1．4．2石墨相氮化碳的制备方法
1．4．3石墨相氮化碳的改性方法
1．5本文选题思路
第二章g-C3N4-SnS2-rGO复合物可见光催化性能研究
2．1引言
2．2实验部分
2．2．1实验原料与仪器
2．2．2催化剂制备
2．2．3催化剂的表征
2．2．4光催化性能测试
2．2．5催化剂光电流响应测试
2．3结果与讨论
2．3．1催化剂的XRD表征
2．3．2催化剂的TEM表征
2．3．3催化剂的SEM表征
2．3．4催化剂的XPS表征
2．3．5催化剂的N2吸附-脱附曲线分析
2．3．6催化剂UV-vis／DRS表征
2．3．7催化剂的PL表征和光电流测试
2．3．8催化剂降解罗丹明B和还原铬实验
2．3．9催化剂稳定性测试及光催化机理研究
2．4小结
第三章TiO2-g-C3N4-rGO复合物的可见光催化性能研究
3．1引言
3．2实验部分
3．2．1实验原料及实验仪器
3．2．2光催化剂的制备
3．2．3催化剂的表征
3．2．4可见光催化性能测试
3．2．5催化剂的光电流测试
3．3结果与讨论
3．3．1光催化剂XRD表征
3．3．2光催化剂SEM表征
3．3．3光催化剂TEM表征
3．3．4光催化剂XPS表征
3．3．5光催化剂N2吸附-脱附曲线分析
3．3．6光催化剂UV-vis／DRS表征
3．3．7光催化剂PL表征和光电流测试
3．3．8催化剂降解罗丹明B和还原铬实验
3．3．9光催化稳定性测试及光催化机理研究
3．4小结
4．1总结
4．2展望
参考文献
致谢
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