氧缺位对VO纳米陶瓷中相变的影响

摘要

本文主要研究缺氧VO2-x纳米陶瓷试样的力学性能和电学性能，并对实验数据利用已有的相变动力学模型进行拟合分析。　　本文利用动态力学分析仪(DMA)的强迫弯曲振动模式，对缺氧VO2-x(x=0.028、0.035、0.065)纳米陶瓷试样进行了低频内耗测试。通过分析其模量-温度、内耗-温度曲线，发现VO1.972试样的低温单斜相的模量大于高温四方金红石相的模量，而VO1.965和VO1.935试样的模量出现的情况则相反；并且随试样氧含量的减少，模量的绝对值变大，内耗峰的峰值减小、峰宽变窄、峰温向低温侧偏移。　　通过对VO1.965纳米陶瓷试样进行变温过程相变内耗的测试，观测到具有MS相变的缺氧VO2-x纳米陶瓷在升、降温过程均出现一个与MS相变过程密切相关的内耗峰以及相应的模量亏损，该内耗峰具有相变内耗动力学模型的基本特征。对实验数据进行的分析拟合表明，其结果满足本课题组以往提出的相界面动力学模型并计算出相应的相变参数，说明该相变内耗峰的性质主要是由相界面的动力学行为所致。

目录

文摘

英文文摘

第一章：前言

1.1引言

1.2 VO2的晶体结构、相变特性

1.2.1 VO2的晶体结构变化

1.2.2 VO2的能带结构变化

1.3 VO2的典型性质

1.3.1相变及相变温度

1.3.2光学性质

1.3.3电阻率突变特性

1.3.4其它性质

1.4二氧化钒的应用前景

1.4.1电学和光学开关装置

1.4.2太阳能控制材料

1.4.3光盘介质材料

1.4.4涂层

1.4.5热敏电阻

1.4.6其它

1.5 VO2纳米材料研究现状

1.5.1 VO2纳米粉体不同整比性的研究

1.5.2 VO2纳米陶瓷的研究

1.6本论文研究的内容

第二章：VO2-X纳米粉体的制备及表征

2.1引言

2.1.1 VO2粉体的制备方法

2.1.2 VO2粉末制备工艺的发展趋势

2.2陶瓷样品制备

2.3 VO2样品的表征

2.3.1 VO2样品的X射线衍射分析

2.3.2 VO2样品的形貌观测

第三章：VO2-X纳米陶瓷相变内耗及界面动力学研究

3.1前言

3.2内耗测试的理论

3.2.1内耗的微观机制

3.2.2低频相变内耗峰的特征

3.2.3低频相变内耗机制

3.2.4内耗测量的实验方法

3.3试样的准备

3.4内耗测量的实验仪器

3.5内耗测试与结果分析

3.5.1缺氧条件下不同氧组分试样的相变内耗和模量

3.5.2缺氧对试样内耗性能的影响

3.5.3 VO2陶瓷的变温过程中的相变内耗

3.6小结

第四章：VO2-X纳米陶瓷的电学性能测试

4.1引言

4.2试样的准备

4.3纳米VO2的电学性能测试

4.3.1电学性能测试方法

4.3.2数据处理方法

4.4测试结果及分析

4.5小结

第五章：内耗、电阻、XRD衍射测试的对比性研究

第六章：结论

参考文献

致谢

原创性声明