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目录
第一章 引言
1.1 等离子体技术及其应用
1.2 等离子体化学气相沉积技术
1.3 等离子体诊断技术
1.4 本论文研究的目的和意义
参考文献
第二章 等离子体物理基础
2.1 等离子体中基本粒子间的相互作用
2.2 气体放电基础
2.3 等离子体的基本性质
2.4 辉光放电的性质及其规律
参考文献
第三章 PECVD技术及其物理基础
3.1 PECVD系统中的等离子体性质
3.2 PECVD制膜工艺
3.3 PECVD中SiCl4/H2辉光放电等离子体的空间气相反应
参考文献
第四章 Langmuir探针诊断技术
4.1 探针诊断技术
4.2 可移动探针的设计
参考文献
第五章 Ar等离子体中电子空间特性的探针诊断
5.1 前言
5.2 实验装置及坐标轴的选取
5.3 Ar等离子体中电子特性随工艺条件的变化规律
5.4 Ar等离子体中电子特性的空间分布规律
5.5 PECVD系统中等离子体中电子浓度ne径向分布的理论模型
5.6 小结
参考文献
第六章 SiCl4/H2等离子体中电子空间特性的探针诊断
6.1 前言
6.2 SiCl4/H2等离子体中电子特性随工艺条件的变化规律
6.3 SiCl4/H2等离子体中电子特性的径向分布规律
6.4 小结
参考文献
第七章 多晶硅薄膜的光照稳定性研究
7.1 前言
7.2 三种光诱导现象
7.4 实验结果
7.5 结果分析
7.6 小结
参考文献
第八章 结论与展望
硕士期间撰写的论文:
致谢
汕头大学;