一种DC到2.8GHz的低噪声硅基单片微波放大器的研制

摘要

本文对一种DC到2.8GHz的低噪声硅基单片微波放大器进行了研制。文章介绍了基于特征尺寸为0.6微米的硅基双极工艺来进行单片微波放大器的设计过程。电路的基本结构采用两级放大结构，以共发射极结构作为输入级，以达林顿结构作为输出级。我们对电路的偏置、增益、带宽、噪声等进行了理论分析，同时考虑了后期封装过程中可能引入的一些寄生参数对电路参数可能造成的影响。

目录

文摘

英文文摘

原创性声明及关于学位论文使用授权的声明

第一章概述

第二章射频集成电路中的一些基本概念

第三章单片微波放大器的设计

第四章器件的整体设计

第五章电路模拟

第六章电路的版图设计及工艺条件

第七章芯片测试结果及分析

总结和展望

参考文献

致谢