硅中金杂质双重能级俘获——复合载流子的物理图像的统计描述

摘要

运用半导体统计原理,结合半导体表面光伏效应和低温技术,研究了掺金硅中静态电荷转移机制;对于硅中金的双重能级俘获—复合载流子过程的物理图像给出了统计描述;对于所得出的若干统计规律,应用低温动态光伏波形的形成予以验证,并估算了金受主能级与施主能级的有关载流子俘获截面;再应用少子扩散长度测量,估算了掺金硅的金杂质复合寿命,从而进一步验证了这一统计描述的正确性.因而,根据该工作所依据的模型,则是有力地支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识的正确性.

目录

文摘

英文文摘

前言

第一章：硅中金杂质的补偿行为与静态电荷转移机制的统计表述

1、金掺杂浓度NAu的计算

2、统计方法计算不同温度下的EF、NAUD+、NAUA-、n0、PO和ND+(或NA-)的数值

3、计算结果与分析讨论

第二章：统计方法结合光伏方法对于硅中金杂质双重能级俘获—复合载流子物理过程的理论描述

1、四个俘获截面σ0n、σ-p、σ0p、σ+n的测算

2、硅中金的双重能级俘获—复合载流子过程的统计描述

第三章、实验验证

1、样品制备与实验装置

2、过补偿掺金硅中金深能级俘获、发射载流子的统计规律的低温动态光伏波形验证

3、欠补偿掺金样品的少子寿命实验值对统计理论值的验证

第四章、分析与讨论

五、参考文献

[附录]本工作使用过的物理参量

致谢