硫钝化GaP半导体表面性质的研究

摘要

在该文研究了Gap(111)单晶、处延片在90±2℃的CH<,3>CSNH<,2>溶液中不同钝化工艺条件对表面性质的影响.用X光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析在不同钝化时间下GaP的表面形貌、微结构、化学组分及电子能谱的变化,同时我们还借助光致荧光谱(PL)来分析钝化的效果.

目录

文摘

英文文摘

1.引 言

2.X光电子能谱分析

2.1 基本原理

2.2 实验样品

2.3 硫钝化实验和测量仪器

2.4 结果与讨论

2.4.1 GaP单晶片

2.4.2 GaP单外延片

2.4.3 GaP双外延片

3.表面形貌

4.光致发光

4.1 实验装置

4.2 实验结果

5.结语

6.附录

6.1 GaP外延片钝化前后各元素原子数的百分比

6.2 GaP钝化过程的微观结构图

6.3 光致荧光谱16个峰的拟合值

7.参考文献

致谢