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金属-绝缘体颗粒膜的电输运特性研究

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摘要

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 金属-绝缘体颗粒膜和巨霍尔效应

1.2.1 金属-绝缘体颗粒膜系统的微观结构

1.2.2 金属-绝缘体颗粒膜中的巨霍尔效应

1.3 理论背景

1.3.1 逾渗理论

1.3.2 局域量子干涉理论

1.3.3 颗粒膜系统的电输运理论

1.4 本论文的主要工作

参考文献

第二章 样品的制备和分析测试方法

2.1 颗粒膜的制备

2.1.1 磁控溅射的基本原理

2.1.2 实验过程以及实验参数

2.2 微观结构的表征以及电输运性质的测量

参考文献

第三章 Cu-ZnO的微观结构和电输运性质研究

3.1 实验方法

3.2 Cu-ZnO颗粒膜的结构表征

3.2.1 SEM分析和讨论

3.2.2 XRD分析和讨论

3.2.3 XPS分析和讨论

3.3 Cu-ZnO颗粒薄膜的电输运特性

3.3.1 电阻率和经典逾渗阈值的确定

3.3.2 磁电阻

3.3.3 霍尔效应的测量结果及分析

3.3.4 实验结果分析

3.4 本章小结

参考文献

第四章 Mo-Al2O3颗粒薄膜的电输运性质

4.1 实验方法

4.2 Mo-Al2O3样品的微结构与电输运性质分析

4.2.1 SEM分析与讨论

4.2.2 Mo-Al2O3的电阻率和磁电阻

4.2.3 霍尔电阻

4.3 本章小结

参考文献

第五章 Co与Co-ZnO的微观结构和电输运性质研究

5.1 Co膜的制备方法

5.2 Co的微观结构与电输运性质分析

5.2.1 SEM分析

5.2.2 XRD分析

5.2.3 电输运性质的分析和讨论

5.3 Co-ZnO薄膜实验分析

5.3.1 Co-ZnO的微观结构

5.3.2 Co-ZnO的电输运性质

5.4 本章小结

参考文献

第六章 总结

硕士期间发表论文

致谢

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摘要

近年来,人们陆续发现磁性金属-绝缘体颗粒膜的霍尔效应的反常增大的现象,并将其称之为巨霍尔效应(GHE)。更令人惊讶的是张西祥、刘晖等人在Cu-SiO2非磁性金属-绝缘体中也发现了霍尔系数比金属铜增加了700倍的现象,这说明巨霍尔效应不是磁性金属-绝缘体颗粒膜的特有现象,巨霍尔效应可能与颗粒膜中独特的次级微结构有关。然而,颗粒膜是一种无序的复合材料,其微结构与薄膜成分、薄膜组成、制备温度、沉积速率等众多因素相关,且颗粒膜的微结构无法直接控制,导致颗粒膜中的巨霍尔效应再现性较差,缺乏足够的实验数据证明颗粒膜中巨霍尔效应的来源,造成巨霍尔效应的产生机制尚不清晰。
  基于以上研究的不足,本论文采用磁控溅射设备制备了一系列Cu-ZnO、Mo-Al2O3、Co-ZnO金属-绝缘体颗粒薄膜。在传统的磁控溅射的基础上做了改进:通过提高溅射气压以及增大金属靶到基片的距离(20 cm),获得了具有一定尺寸大小的金属颗粒分布于绝缘体介质中的金属-绝缘体颗粒膜。通过改变溅射功率控制金属-绝缘体颗粒膜的金属体积比,并研究了不同金属体积比的金属-绝缘体颗粒膜的电输运性质。
  (1)在Cu-ZnO以及Mo-Al2O3体系中,都发现了霍尔系数显著增强的现象。采用三维弱局域理论拟合计算出电子退相干长度Lφ的值,并运用P.Sheng等人提出的局域量子干涉理论对其进行分析和解释。
  (2)在室温下制备的Co薄膜样品受到弱局域的影响,致使纵向电阻率在高温下表现为金属性,低温下则表现为随温度增加而减小的非金属性;通过拟合发现,纵向电阻率和饱和反常霍尔电阻率符合ρAxy=A+ bρ2xx=的标度关系,其中A=-0.51293μΩ-1cm-1、b=3.23×10-6μΩ-1cm-1。
  (3) Co-ZnO颗粒膜的电阻率同样表现出很好的逾渗系统的特征。在低温下具有较大的磁电阻,且饱和反常霍尔电阻率与磁电阻呈现负相关关系。当磁电阻较大时,饱和反常霍尔系数几乎为零,当饱和反常霍尔系数增大时,磁电阻相应的减小。

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