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1引言
1.1红外探测器
1.1.1热敏(型)红外探测器
1.1.2光子(型)探测器
1.2 CMOS读出电路
1.2.1 CCD读出电路与CMOS读出电路
1.3红外焦平面阵列技术的发展现状与趋势
1.3.1红外成像技术的发展现状
1.3.2未来的发展趋势
1.4课题的研究内容
1.4.1高性能电路结构
1.4.2计算机辅助设计
1.5课题的研究目的和意义
2 CMOS集成电路
2.1 MOS FET的电容
2.2 MOS FET的沟道长度调制效应
2.2.1沟道长度调制效应参数△L的提取
2.3 CMOS倒相器
2.3.1 CMOS倒相器的传输特性
2.4 CMOS电流镜
2.4.1 CMOS简单电流镜
2.4.2 CMOS Wilson电流镜
2.4.3 PSPICE模拟结果
2.5 CMOS电路中的栅锁效应
2.5.1 p阱CMOS工艺的寄生pnpn结构
2.5.2发生栅锁效应的条件
2.5.3消除栅锁效应的办法
3新结构红外焦平面CMOS读出电路的研究
3.1 CMOS读出电路独特的具体要求
3.1.1电荷存储能力
3.1.2积分时间
3.1.3噪声
3.1.4动态范围
3.1.5读出速率
3.1.6工作温度
3.1.7功耗
3.1.8辐射强度
3.1.9探测器偏压控制
3.1.10像元和阵列的面积
3.2常规的CMOS读出电路结构
3.2.1源随器结构(SFD)
3.2.2直接注入结构(DI)
3.2.3缓冲直接注入结构(BDI)
3.2.4公共缓冲直接注入结构(SBDI)
3.2.5电容跨导放大器结构(CTIA)
3.2.6开关电流积分结构(SCI)
3.2.7栅调制输入结构(GMI)
3.3新结构高性能CMOS读出电路
3.3.1缓冲栅调制输入结构(BGMI)
3.3.2暗电流存储背景抑制ROC结构(DCSS)
3.3.3暗像元补偿背景电流抑制结构
3.4新结构相关双采样电路
3.4.1带充电回路的相关双采样电路
3.4.2新结构的CDS电路工作原理
3.4.3 PSPICE模拟结果与分析
3.5小结
4红外焦平面阵列读出电路的驱动信号源设计
4.1可编程逻辑器件PLD
4.2灵活的驱动信号源方案
5 CMOS集成电路的版图设计
5.1 MOS集成电路的工艺设计
5.1.1硅栅工艺的特点
5.2体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择
5.2.1 n阱工艺
5.2.2 p阱工艺
5.2.3双阱工艺
5.2.4 Retro-grade阱
5.3集成电路版图设计规则
5.3.1版图的层次
5.3.2版图的分析和检验
5.4电流存储背景抑制CMOS读出电路的版图
6论文总结
致谢
参考文献
作者攻读博士学位期间发表的论文
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