【24h】

Thermally Stable Molybdenum Oxide Hole-Selective Contacts Deposited using Spatial Atomic Layer Deposition

机译:使用空间原子层沉积法沉积的热稳定氧化钼空穴选择触点

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摘要

deposited using spatial atomic layer deposition. We show that the use of the high work function (5.01 eV) Nickel, as a replacement to the Aluminum contact, not only assists in efficient hole-transport, but also forms a thermally stable contact up to temperatures of 300°C with contact resistivities below 10 mΩ-cm
机译:使用空间原子层沉积来沉积。我们表明,使用高功函数(5.01 eV)镍代替铝触头,不仅有助于有效的空穴传输,而且还可以在高达300°C的温度下形成具有接触电阻率的热稳定触头低于10mΩ-cm

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