Optical Science and Engineering, UNC Charlotte, Charlotte, North Carolina 28262,USA;
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机译:MOCVD种群/ N-GaN异质结构中的形态学,生长模式和铟掺入的研究
机译:具有较大组成的双异质结构GaN / InGaN / GaN薄膜的生长和光学性质
机译:具有不同InGaN背势垒层和通过MOCVD生长的GaN沟道厚度的Al_(0.25)Ga_(0.75)N / AlN / GaN异质结构中的电子传输性质
机译:通过超级大气压MOCVD的GaN / Ingan薄膜和异质结构的生长
机译:TiN薄膜和InGaN / GaN点对纳米线的电子动力学
机译:短波长光束通过MOCVD原位监测InGaN / GaN绿色LED的生长
机译:具有不同InGaN背势垒层和通过MOCVD生长的GaN沟道厚度的Al 0.25Ga 0.75N / AlN / GaN异质结构中的电子传输性能