Circuit Research Lab, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA;
机译:65nm CMOS的64×32位4读2写入低功耗和面积有效寄存器文件
机译:采用65nm CMOS的1.2V至0.4V 3.2GHz至14.3MHz的节能3端口寄存器文件
机译:65 nm CMOS中的高稳定性多端口寄存器文件的孤立的SNM模型
机译:2.8GHz 128条目×152b 3-read / 2-write多精度浮点寄存器和shuffler在32nm cmos中
机译:使用硅锗HBT BiCMOS技术实现的32字乘32位三端口双极性寄存器文件。
机译:紧凑型12端口多存储寄存器文件测试芯片,采用0.35μmCmOs,适用于高度并行处理器