University of Roma Tre, Electronic Eng. Dept., Via Vasca Navale 8, 00146 Rome, Italy;
carbon based electronics; device technology; diamond; electrical characteristics; semiconductor devices; wide band semiconductors;
机译:H端多晶金刚石上的表面沟道MESFET的DC和RF性能
机译:高功耗运行条件下的H封端钻石MESFET的可靠性
机译:H端接的金刚石基MESFET的14.8 MeV中子辐照
机译:H封端的多晶钻石上的MESFET
机译:金属间键合金刚石复合材料和多晶金刚石复合片的抗冲击性和能量及其比较。
机译:H端和O端纳米晶体金刚石薄膜上的成骨细胞分化
机译:H端金刚石MESFET中的栅源距离缩放效应