CERN, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;
CERN, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;
CERN, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;
CERN, CH-1211 Geneva 23, Switzerland;
THOMSON TCS, Avenue de Rocheplaine, St.Egreve, France;
机译:外部施加的机械应力对SOI MOSFET的模拟和RF性能的影响
机译:器件工程对SOI MOSFET的模拟和RF性能的影响
机译:使用反向体偏置增强模拟电路中PD-SOI MOSFET的高温性能
机译:高达25 mrad(Si)的SOI MOSFET的模拟性能
机译:对SOI LDMOSFET的新型埋入式绝缘子材料和几何形状进行热分析,并获得电气性能的稳定性。
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:25Nm工艺下全绝缘双材料栅(DmG)sOI mOsFET的性能分析