Molecular beam epitaxy; Surfactant; Hall mobility; Capacitance-voltage; Ge; Si(111); Sb; Doping; Segregation; Heteroepitaxy; SiGe;
机译:表面活性剂介导的分子束外延生长的Ge(211)/ Si(211)异质结构的生长和表征
机译:在表面活性剂介导的外延中具有可逆的原子交换的亚单层岛生长成比例。
机译:表面活性剂介导的Bi / Ge / Si(111)外延和Ge / Si(111)外延之间的比较
机译:表面活性剂介导的Ge对Si的外延:生长和电学特性的进展
机译:用于砷化铟和磷化铟器件的高电阻率和晶格失配的铟砷磷和铝铟砷磷缓冲层的金属有机气相外延生长和电学表征。
机译:ZnO纳米线密度可调生长的简便水热方法及其电学表征
机译:表面活性剂介导的外延生长行为的动力学monte Carlo模拟