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A Novel PT Design Concept of High Voltage RC-GCTs

机译:高压RC-GCT的PT设计新概念

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摘要

A design rule for 5,500V RC-GCTs (Reserve-Conducting Gate-Commutated Thyristors) with a novel punch-through (PT) concept is described. PT and NPT (non punch-through) designs have been compared in detail. The simulation work indicates that PT-GCT design can achieve a forward breakdown voltage of 6,400V with a minimum n-base layer width of 405μm. In addition, it exhibits the fast turn-on and turn-off performance via snubberless circuit.
机译:描述了具有新颖的穿通(PT)概念的5,500V RC-GCT(可传导储能栅极的可控硅晶闸管)的设计规则。 PT和NPT(非穿通)设计已进行了详细比较。仿真工作表明,PT-GCT设计可实现6400V的正向击穿电压,最小n基极层宽度为405μm。此外,它通过无缓冲电路表现出快速的接通和关断性能。

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