Semiconductor Company 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, Japan;
机译:自热对0.1μmSOI MOSFET器件性能的影响(包括速度过冲)的研究
机译:对0.1μmSOIMOSFET的装置性能的自热影响,包括速度过冲
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自热和速度过冲效应
机译:研究自加热对装置性能的影响0. Lμmsoi mosfet,包括速度过冲
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自加热和速度过冲效应
机译:硅中亚100nm沟道mOsFET的电子速度过冲观察