GaN; Photoanodic dissolution; Wet etching;
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:结合反应性离子刻蚀和KOH湿法刻蚀技术对GaN(1100)平面进行平直而平滑的刻蚀
机译:高温氮等离子体刻蚀,用于保持光滑和化学计量的GaN表面
机译:光滑的GaN表面通过光导电电化学蚀刻
机译:GaN纳米线制造和单光子发射器装置应用的蚀刻工艺
机译:光辅助化学蚀刻后通过退火沉积的GaN基薄膜LED表面的纳米棒
机译:通过催化剂引用蚀刻平滑单晶SiC和GaN的平滑
机译:用热湿蚀刻结合显微镜和衍射技术研究GaN的缺陷和表面极性