Motorola DigitalDNA~(TM) Labs, Process and Materials Characterization Lab, Mesa, AZ;
机译:V / Cu复合势垒中间层扩散结合钨钢接头的组织,残余应力和力学性能
机译:通过控制铜电镀膜的微观结构来抑制应力诱发的空洞
机译:自退火过程中电镀铜膜的应力,薄层电阻和微观结构演变
机译:不同屏障层上电镀Cu膜的残余应力和微观结构
机译:溅射的铬和铬(x)氮(y)薄膜的微观结构和残余应力的演变。
机译:脉冲电镀频率和占空比对铜膜微结构和应力状态的影响
机译:不同阻挡层下电镀铜薄膜的残余应力和微观结构
机译:Cu / Nb薄膜多层膜的残余应力,力学行为和电学性能