Department of Electrical and Computer Engineering, Florida AM University and Florida State University, Tallahassee, FL, USA;
机译:用于分子束外延合成高迁移率结构的天然氧化物热解吸后,GaAs(100)表面的光滑度和清洁度
机译:水温程序从n-GaAs(100)和n-GaP(100)半导体表面解吸的动力学模拟
机译:氢原子引起的表面过程对Ge(100)的温度依赖性:热脱附,吸收和碰撞诱导脱附
机译:在GaAs的热解吸中的表面恶化缓解的原位预处理方法(100)
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:GaAs(100)表面制剂对偶氮/ Al2O3 / P-GaAs光伏结构EQE的影响
机译:特别问题:“原位光子探测”晶体生长表面的表征。原位观察通过表面光吸收法从GaAs表面的解吸过程观察。
机译:通过保护性砷涂层的热解吸制备的Gaas(100)表面上的au和al肖特基势垒形成