Institut fuer Physik, Carl von Ossietzky Universitaet Oldenburg, 26111 Oldenburg, Germany;
机译:用于中红外(2-5μm)应用的InAsSb / InAsSbP双异质结发光二极管的数值建模
机译:NiO / GaN异质结在发光二极管中的外延生长和能带取向特性
机译:Si衬底上取向ZnO纳米棒的合成,性能及其在p-Si / n-ZnO异质结二极管中的应用
机译:SC-Simul在异质结二极管光电性质的数值模型中的应用
机译:燃烧应用中分子气体和颗粒介质辐射特性模型的数值实现。
机译:有机基纳米级异质结的合成结构和光电性质
机译:用于太阳能电池的Cr / n-BaSi2肖特基结和n-BaSi2 / p-Si异质结二极管的电性能分析