Department of Electrical and Computer Engineering The Ohio State University Columbus, OH 43210 USA;
机译:未掺杂的半绝缘GaN和n-GaN中黄色和蓝色发光的阴极发光
机译:碳相关缺陷作为无意掺杂GaN增强黄色发光的来源
机译:边缘位错和硅杂质在连接n型GaN膜的蓝色和黄色发光中的作用
机译:补偿N型和半绝缘GaN中的碳相关深状态:C及其对黄色发光的影响
机译:使用光致发光光谱法研究N型4H碳化硅和半绝缘6H碳化硅中的缺陷。
机译:碳相关缺陷作为无意掺杂GaN增强黄色发光的来源
机译:未掺杂半绝缘GaN和n-GaN中黄色和蓝色发光的阴极发光*