Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, R2-19, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan;
机译:使用0.95(Na_(0.5)Bi_(o.5))Ti0_3-0.05BaTi0_3薄膜的非易失性铁电RAM的单晶体管电容器(1TC)结构
机译:受玻璃基板上生长的PT和Srruo3底电极的BifeO3薄膜铁电特性影响的MOS2单层非易失性存储场效应晶体管的特点
机译:在200℃以下使用有机铁电和氧化物半导体的全透明非易失性存储薄膜晶体管
机译:使用铁电/ ITO结构的非易失性薄膜晶体管
机译:用于固态非易失性随机存取存储器应用的铁电聚合物薄膜。
机译:NiFe / PLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关
机译:通过金属/铁电结的铁电薄膜中的纳米缝隙进行电荷载流子传输:新型非易失性存储器件的可能性
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。