Department of Physics, University of Dayton, Dayton, OH, USA;
机译:通过质子辐照的N型4H-SiC中退火的原发性缺陷的转化途径
机译:电子和质子辐照引起的ZnS缺陷及缺陷退火行为
机译:质子辐照的Si和4H-SiC中缺陷型材与缺陷型材的相互作用
机译:高能量质子辐射期间4H-SiC引入的光致发光特征及其退火行为
机译:高能质子辐照超高分子量聚乙烯的交联起始和氢退火研究。
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:低能电子辐照n型4H-SiC的EB中心和M中心的退火行为