Charles Evans Associates, 810 Kifer Road, Sunnyvale, CA 94086;
机译:缺陷对SiC中硼低温扩散的影响
机译:硼与氮离子共注入的6H和4H SiC中硼的扩散
机译:硼扩散对(111)硅-氧化硅界面处缺陷密度和复合的影响
机译:SiC中硼扩散期间产生的缺陷的特征
机译:用深层瞬态光谱法(DLTS)表征4H-SiC的缺陷及其对器件性能的影响
机译:高等植物中可溶性硼配合物的分离和表征。硼韧皮部迁移的机理。
机译:缺陷对SiC中硼低温扩散的影响