Corporate Research Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
机译:宽温度范围内4H-SiC的碰撞电离系数
机译:4H-SiC中电子和空穴的碰撞电离系数的测量
机译:4H-SiC对超高压功率器件的冲击电离系数
机译:4H-SIC影响孤独系数的综合研究
机译:金刚石单极器件:朝向碰撞电离系数提取
机译:美国国家医院侵入性真菌监测网(CHIF-NET)研究的一部分2012年至2013年对Bruker Biotyper MS和Vitek MS基质辅助激光解吸电离的飞行时间质谱系统进行全面鉴定以鉴定酵母。
机译:关于电子和空穴的测量影响电离系数 在4H-siC中