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机译:环戊二烯基和臭氧前体的原子层沉积法生长的锆和Ha氧化物高k栅极电介质的电性能
机译:使用新的醇盐前体3-甲基-3-五氧化H Hf(mp)(4)的二氧化ha薄膜的ALD
机译:紫外/臭氧氧化硅化ha形成硅酸f
机译:一种先进的高k晶体管,利用金属 - 有机前体在氧化铪沉积中,用臭氧作为氧化剂的氧化铪沉积
机译:使用叔丁醇ha(IV)通过CVD和PECVD沉积的固态晶体管栅极应用的based基高k薄膜的特性表征。
机译:通过原子层沉积(ALD)技术获得的氧化铪(IV)氧化物通过激活RUNX2-OPN-MIR21A轴来促进早期骨肉发生同时抑制破骨细胞活性
机译:四(二甲基amide)和水/臭氧在原子层上沉积的氧化nium薄膜的电学特性:生长温度,氧气源和沉积后退火的影响
机译:氧化铪,硅酸镉和碳化铪的参考文献