KTH, Royal Institute of Technology, Department of Microelectronics and Information Technology, Electrum 229, SE-164 40 Kista, Sweden;
机译:GaAs上的Al_2O_3 / HfO_2 / Al_2O_3高k栅极电介质堆叠的改进的热稳定性
机译:Pt OE n〜+ .PGTAL-SILICQN栅的高k栅介电薄膜(HfO_2和Al_2O_3)的电性能比较
机译:具有ALD HfO_2 / Al_2O_3栅极电介质的Si_(0.7)Ge_(0.3)表面沟道pMOSFET的低频噪声
机译:HFO_2和AL_2O_3的高k纳米胺的表征用作PMOSFET中的栅极电介质
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的表征和建模
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:通过脉冲激光沉积制备CeO2和HfO2高k栅极电介质:从二元氧化物到纳米层压板