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Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions
Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions
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1.
Investigations of Metal Gate Electrodes on HfO_2 Gate Dielectrics
机译:
HFO_2栅极电介质上金属栅电极的研究
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
2.
PROCESS OPTIMIZATION AND INTEGRATION OF HFO_2 AND HF-SILICATES
机译:
流程优化和集成HFO_2和HF硅胶
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
3.
Electrical modeling and simulation of nanoscale MOS devices with a high-permittivity dielectric gate stack
机译:
具有高介电常数介质栅极堆叠的纳米级MOS装置的电气建模与仿真
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
4.
Influence of Pre-Oxidation of an Ir Film on Chemical Composition and Crystal Property of a PZT Film Deposited on the Ir Film by Sputtering
机译:
IR膜预氧化对IR薄膜在IR膜上的化学成分和晶体性质的影响
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
5.
Persistent Electronic Conduction in 12CaO·7Al_2O_3 Thin Films Produced by Ar Ion Implantation: Selective Kick-Out Effect Leads to Electride Thin Films
机译:
12cao持续的电子传导·7AL_2O_3通过AR离子注入产生的薄膜:选择性踢射效果导致电极薄膜
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
6.
Effects of Structural Properties of Hf-Based Gate Stack on Transistor Performance
机译:
基于HF的栅极堆栈结构特性对晶体管性能的影响
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
7.
A Study of APCVD-Deposited TiO2Characteristics in the Structure of a Tunneling Transistor
机译:
隧道晶体管结构中APCVD沉积的TiO2特征研究
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
8.
Tunable Workfunction with TaN Metal Gate on HfO_2 -Hf_x Si_y O Dielectrics
机译:
HFO_2-HF_X SI_Y O电介质上的TAN金属门可调工作功能
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
9.
Dielectric breakdown Characteristics of poly-Si/HfAlOx/SiON gate stack
机译:
多Si / Hfalox / Sion栅极堆叠的介电击穿特性
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
10.
Pr4f occupancy and VB/CB band offsets of Pr_2O_3 at the interface to Si(001) and SiC(0001) surfaces
机译:
PR4F占用和VB / CB带偏移到SI(001)和SIC(0001)曲面的接口处PR_2O_3
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
11.
Structural and Electrical Properties of Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 Thin Films for Tunable Microwave Applications
机译:
用于可调谐微波应用的BA_(0.5)SR_(0.5)TiO_3薄膜的结构和电性能
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
12.
On the Nature of Weak Spots in High-k Layers Submitted to Anneals
机译:
关于退火的高k层弱点的性质
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
13.
Infrared Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm~(-1) to 2000cm~(-1)
机译:
HFO_2和HFO_2 / SI界面的红外吸收研究范围从200cm〜(-1)到2000cm〜(-1)
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
14.
Preparations and Evaluations of Magnetoelectric Thin Films for Josephson Field Effect Transistor
机译:
约瑟夫森场效应晶体管磁电薄膜的制备与评价
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
15.
Leakage Current Behavior in CaZrO_3 Thin Films for High-k Applications
机译:
Cazro_3薄膜的漏电流行为用于高k应用
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
16.
MOCVD of SrTa_2O_6 Thin Films for High-k Applications
机译:
SRTA_2O_6 MOCVD用于高k应用的薄膜
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
17.
MOCVD Processes for Electronic Materials Adopting Bi(C_6H_s)3 Precursor
机译:
用于采用Bi(C_6H_S)3前体的电子材料的MOCVD工艺
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
18.
Comparison of Digital versus Continuous Growth Techniques for MgCaO Dielectric on GaN
机译:
GaN上MGCAO电介质的数字与连续生长技术的比较
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
19.
Investigations of Pb_xSr_(1-x)TiO_3 Thin Films and Ceramics for Microelectronic Applications
机译:
PB_SR_(1-X)TiO_3微电子应用薄膜和陶瓷的研究
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
20.
Atomic Vapour Deposition (AVD#8482;) Process for High Performance HfO_2 Dielectric Layers
机译:
原子气相沉积(AVD™)高性能HFO_2介电层的方法
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
21.
Comparison of Sol-Gel Derived and Pulsed Laser Deposited Epitaxial Lao Films for IR Bolometer
机译:
IR辐射计的溶胶 - 凝胶衍生和脉冲激光沉积外延老挝膜的比较
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
22.
Experimental Study of Etched Back Thermal Oxide for Optimization of the Si/High-k Interface
机译:
蚀刻回热氧化物优化Si / High-K接口的实验研究
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
23.
Epitaxial La_(0.67)(Sr,Ca)_(0.33)MnO_3 Films on Si for IR Bolometer Applications
机译:
外延LA_(0.67)(SR,CA)_(0.33)MNO_3 SI上的IR钻孔计应用程序
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
24.
Fundamental Study and Oxide Reliability of the MBE-Grown Ga_(2-x)Gd_xO_3 Dielectric Oxide for Compound Semiconductor MOSFETs
机译:
用于化合物半导体MOSFET的MBE-生长的GA_(2-X)GD_XO_3介电氧化物的基本研究和氧化物可靠性
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
25.
Nitridation of Hafnium Silicate Thin Films
机译:
铪硅酸盐薄膜的氮化
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
26.
An Advanced High-k Transistor Utilizing Metal-Organic Precursors in an ALD Deposition of Hafnium Oxide and Hafnium Silicate with Ozone as Oxidizer
机译:
一种先进的高k晶体管,利用金属 - 有机前体在氧化铪沉积中和铪硅酸盐作为氧化剂
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
27.
Electrical breakdown in a two-layer dielectric in the MOS structure
机译:
在MOS结构中双层电介质中的电击
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
28.
Crystallization Behavior of Hf-rich Aluminates and Influence on Film Dielectric Properties
机译:
HF富含HF铝酸盐的结晶行为及对薄膜电介质性能的影响
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
29.
Engineering the nm-thick Interface Layer Formed Between a High-k Film and Silicon
机译:
工程在高k薄膜和硅之间形成的NM厚界面层
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
30.
Comparison of Chemical Vapor Deposited Hafnium Dioxide and Silicon Doped Hafnium Dioxide using either O_2, N_2O, H_2O, O_2 plasma, or N_2O plasma, and Hf (IV) t-butoxide
机译:
使用O_2,N_2O,H_2O,O_2等离子体或N_2O等离子体和HF(IV)丁氧化物,使用O_2,N_2O,H_2O,O_2等离子体和HF(IV)丁氧化铪沉积二氧化铪和二氧化硅掺杂二氧化铪的比较
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
31.
Effect of La doping on the structural and electrical properties of SrBi_2Ta_2O_9
机译:
la掺杂对srbi_2ta_2o_9结构和电性能的影响
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
32.
Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Thin films from Trimethyl Aluminum (TMA) and Ammonia
机译:
从三甲基铝(TMA)和氨的氮化铝薄膜的原子层沉积
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
33.
Next Generation of Thin Film Transistors Based on Zinc Oxide
机译:
基于氧化锌的下一代薄膜晶体管
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
34.
High Mobility Nanocrystalline Indium Zinc Oxide Deposited at Room Temperature
机译:
高迁移率纳米晶铟氧化锌在室温下沉积
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
35.
Nanoscale Etching of Metallic Perovskites Using STM
机译:
使用STM的金属钙锌矿纳米级蚀刻
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
36.
Microstructure and Ferroelectric Characteristics of Ultra-Thin BaTiO_3 Films
机译:
超薄BATIO_3薄膜的微观结构和铁电特性
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
37.
Processing and On-Wafer Measurements of Ferroelectric Interdigitated Tunable Microwave Capacitors
机译:
铁电互通可调微波电容器的加工和晶圆测量
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
38.
Fin Sidewall Microroughness Measurement by AFM
机译:
Fin侧壁微频测量AFM
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
39.
Highly-Insulating Ultra-Thin SiO_2 Film Grown by VUV Photo-Oxidation
机译:
VUV光氧化的高度绝缘超薄SiO_2薄膜
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
40.
Structure of Sc_2O_3 Films Epitaxially Grown on a-Al_2O_3 (111)
机译:
SC_2O_3薄膜的结构在A-AL_2O_3(111)上延伸
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
41.
Guided Control of Cu_2O Nanodot Self-Assembly on SrTiO_3 (100)
机译:
CU_2O纳米型自组装在SRTIO_3(100)的指导控制
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
42.
Properties of Pr-based high k dielectric films obtained by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属 - 有机化学气相沉积获得的PR基高k介电膜的性能
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
43.
Ultrathin Dielectric Films Grown by Solid Phase Reaction of Pr with SiO_2
机译:
通过PR的固相反应与SIO_2生长超薄介电膜
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
44.
Carrier transport of extended and localized states in InGaO_3(ZnO)_5
机译:
Ingao_3(ZnO)_5的延长和局部状态的载波运输
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
45.
Characterization of High-K Nanolaminates of HfO_2 and Al_2O_3 Used as Gate Dielectrics in pMOSFETs
机译:
HFO_2和AL_2O_3的高k纳米胺的表征用作PMOSFET中的栅极电介质
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
46.
Systematic Examination of Boron Diffusion Phenomenon in HfSiON High-k Gate Insulator
机译:
HFSION高k门绝缘子中硼扩散现象的系统检测
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
47.
Defect Energy Levels in HfO_2, ZrO_2, La_2O_3 and SrTiO_3
机译:
HFO_2,ZRO_2,LA_2O_3和SRTIO_3中的缺陷能量水平
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
48.
Retarded Growth of Sputtered HfO_2 Films on Germanium
机译:
在锗的溅射HFO_2薄膜的延迟生长
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
49.
Epitaxial Growth and Structure of Thin Single Crystal y-Al_2O_3 Films on Si (111) Using e-Beam Evaporation of Sapphire in Ultra-High Vacuum
机译:
超高真空中蓝宝石的e-束蒸发,Si(111)上的薄单晶Y-Al_2O_3薄膜的外延生长和结构
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
50.
Highly Reliable Metal Gate nMOSFETs by Improved CVD-WSix films with Work Function of 4.3eV
机译:
通过改进的CVD-WSIX薄膜具有4.3EV的高度可靠的金属栅极NMOSFET
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
51.
Electrical properties of the La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3 thin films on SrTiO_3 substrate by an excimer laser metal organic deposition (ELMOD) process at low temperature
机译:
通过在低温下通过准分子激光金属有机沉积(ELMOD)工艺在SRTIO_3基板上的LA_(0.8)SR_(0.2)MNO_3薄膜的电性能
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
52.
Bulk-like ferroelectric and piezoeletric properties of transferred-BaTiO_3 single crystal thin films
机译:
转移 - BATIO_3单晶薄膜的散装铁电和压电性能
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
53.
Nitrogen Distribution and Oxidation of HfO_xN_y Gate Dielectrics Deposited by MOCVD using (C_2H_5)_2N_4Hf with NO and O_2
机译:
使用(C_2H_5)_2N _4HF沉积MOCVD沉积HFO_XN_Y栅极电介质的氮气分布和氧化,NO和O_2
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
54.
Reduction of CV Hysteresis in Metal/High-k MISFETs Using Flash Lamp Post Deposition Annealing
机译:
使用闪光灯沉积退火的金属/高k MISFET中CV滞后的减少
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
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2004年
55.
Physical characterization of HfO_2 deposited on Ge substrates by MOCVD
机译:
MOCVD沉积在GE底板上的HFO_2的物理特征
会议名称:
《Symposium on Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions》
|
2004年
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