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【2h】

CeO2 and HfO2 high-k gate dielectrics by pulsed laser deposition : from binary oxides to nanolaminates

机译:通过脉冲激光沉积制备CeO2和HfO2高k栅极电介质:从二元氧化物到纳米层压板

摘要

the selection criteria for high-k materials, the role of pulsed laser deposition in materials research activities and other major points in this thesis are presented.
机译:介绍了高k材料的选择标准,脉冲激光沉积在材料研究活动中的作用以及本论文的其他要点。

著录项

  • 作者

    Karakaya Koray;

  • 作者单位
  • 年度 2006
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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