Department of Electrical Engineering and Physics Department, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284;
机译:氢化物气相外延在分子束外延上GaN的外延横向过生长Si衬底上的GaN缓冲层
机译:YSZ / TiO_2缓冲层在c面GaN / AI_2O_3上外延生长(100)取向二氧化铈薄膜的脉冲激光分子束外延
机译:AlN成核层生长条件对分子束外延(MBE)生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中缓冲液泄漏的影响
机译:用纳米盖利用Algan缓冲层的分子束外延的GaN外延生长
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:6H-SiC表面重构对GaN分子束外延生长中AlN缓冲层晶格弛豫的影响
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应