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Silicon-based optoelectronics

机译:硅基光电

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摘要

The potential of silicon-based designs for various optoelectronic functions is discussed. Si-based light detectors are the most advanced, especially in the form of metal-Si-metal (MSM) photodetectors. They use Si band to absorption for visible light and Schottky-barrier emission for the infrared (IR). The different light sources show rapid progress, but still face challenges to reach a quantum efficiency of 10~-2. In addition to the intrinsic silicon based designs, some new Si breadboard concepts are shown: espcially for waveguides, modulators and all-optical amplifiers, it may be advantageous to add entirely different materials (polymers, glasses, BaTiO_3 or Al_2O_3) onto the Si wafer.
机译:讨论了用于各种光电功能的基于硅的设计的潜力。硅基光检测器是最先进的,尤其是以金属-硅-金属(MSM)光电检测器的形式。他们使用硅带吸收可见光,并使用肖特基势垒发射红外光。不同的光源显示出快速的发展,但是仍然面临挑战以达到10〜-2的量子效率。除了基于本征硅的设计之外,还显示了一些新的Si面包板概念:特别是对于波导,调制器和全光放大器,在Si晶片上添加完全不同的材料(聚合物,玻璃,BaTiO_3或Al_2O_3)可能是有利的。

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