Universitaet Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Strasse 100, D-33095 Paderborn, Germany;
机译:快速热退火对分子束外延生长在GaAs(001)衬底上的立方GaN外延层结构特性的影响
机译:(001)GaAs衬底上分子束外延生长重掺杂Sn的GaAs_(1-x)Sb_x外延层的光学表征
机译:(001)GaAs衬底上生长的Si掺杂立方GaN的分子束外延光致发光研究
机译:通过分子束外延在GaAs(001)衬底上生长在GaAs(001)底物上生长的碳掺杂立方GaN癫痫碳的光学性质
机译:通过分子束外延生长的碳掺杂氮化镓的电学,光学和缺陷性质。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:GaAs(001)上通过分子束外延生长的ZnTe外延层的衬底温度依赖性
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上生长的InGaas / alGaas pIN光调制器的缓冲层优化