Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo, Ontario, N2L 3G1, Canada;
机译:与氢化非晶硅薄膜晶体管相比,非晶$ hbox {InGaZnO} _ {4} $薄膜晶体管的双栅特性
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:功率硅集成垂直DMOS和多晶硅CMOS薄膜晶体管的绝缘体上硅方法
机译:用于高密度集成的非晶硅垂直薄膜晶体管
机译:非晶硅垂直薄膜晶体管。
机译:非晶硅氧化锡薄膜晶体管中的纳米级自形成金属氧化物中间层
机译:氟注入和结晶非晶硅膜上制造的顶栅多晶硅薄膜晶体管的特性