Ioffe Physico-Technical Institute, 26 Polytekhnicheskaya st., St Petersburg 194021. Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 26 Polytekhnicheskaya st., St Petersburg 194021. Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 26 Polytekhnicheskaya st., St Petersburg 194021. Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 26 Polytekhnicheskaya st., St Petersburg 194021. Russia;
Ioffe Physico-Technical Institute, 26 Polytekhnicheskaya st., St Petersburg 194021. Russia;
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法从C2H2 + SiH4混合物中生长的宽带隙氢化非晶硅碳合金薄膜的热改性
机译:辉光放电等离子体沉积的氢化非晶碳膜的光学性质
机译:使用直流辉光放电等离子体CVD的低氢含量氢化非晶碳膜
机译:通过磁控闪光放电等离子体沉积氢化非晶硅 - 碳合金薄膜
机译:用微波ECR等离子体反应器沉积氢化非晶碳膜的膜性能和沉积过程的研究。
机译:磁控共溅射制备可降解冠状动脉支架的二元非晶态Zn-Zr合金薄膜的初步研究
机译:偏压对电子回旋共振等离子体在CoCrMo合金上制备的氢化非晶碳膜性能的影响增强了化学气相沉积(ECR-PECVD)
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日