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Possibility of Si resonant plasma-wave transistor as THz detector

机译:Si谐振等离子体波晶体管作为太赫兹检测器的可能性

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摘要

In this paper, we show a possibility of Si resonant plasma-wave transistor (R-PWT) as THz detector. If the channel mobility of strained Si R-PWT is 400 cm·V
机译:在本文中,我们展示了将硅谐振等离子体波晶体管(R-PWT)用作THz检测器的可能性。如果应变Si R-PWT的沟道迁移率是400 cm·V

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