School of Materials Science Japan Advanced Institute of Science and Technology Japan;
Research Institute of Electronics Shizuoka University Japan;
School of Materials Science Japan Advanced;
Tunneling; Silicon; Junctions; Temperature measurement; Doping profiles; Temperature;
机译:通过液相法生长的氧化物纳米结构增强金属氧化物-硅隧穿二极管的电致发光
机译:晶体硅/纳米晶体硅异质结构二极管中的共振隧穿特性
机译:高应变硅锗二极管中增强的栅极控制的带间隧穿的测量
机译:共掺杂剂诱导的隧道电流增强及其在硅纳米隧道二极管中的相互作用
机译:硅/硅锗共振带间隧道二极管中的声子辅助隧穿。
机译:通过银纳米粒子诱导的局部表面等离子体激元增强黑硅中的近红外光吸收
机译:非极性alN / GaN上的同轴纳米线共振隧穿二极管 硅