Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science Technology (KAUST) Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia (KSA);
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Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science Technology (KAUST) Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia (KSA);
Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science Technology (KAUST) Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia (KSA);
Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science Technology (KAUST) Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia (KSA);
AlGaInP laser diode; orange laser; intermixing; efficiency;
机译:InGaP / InAlGaP激光结构中的大带隙蓝移,使用新型应变诱导量子阱混合
机译:基于InGaP / InAlGaP的橙色激光在608 nm处发射的首次演示
机译:InGaP / InAlGaP激光结构在950摄氏度下退火对激光特性的影响
机译:通过应变诱导量子阱混合从Ingap / Inalgap激光结构中的红色到绿色发射器
机译:新材料系统中的新型分层半导体量子结构---氮化物量子级联发射器和检测器,具有量子级联激光泵浦的Fe:ZnSe发光,具有实时格林函数的理论方法以及双曲线超材料。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:InGaP / InAlGaP激光器结构中的红到绿发射器,通过应变诱导量子阱混合实现
机译:mOVpE生长的InalGap多应变量子阱结构中可见光波长下电反射率和光电流谱的电场依赖性。