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机译:基于InGaP / InAlGaP的橙色激光在608 nm处发射的首次演示
King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Kingdom of Saudi Arabia (KSA);
机译:850 nm垂直腔面发射激光器的应变InGaAsP / InGaP量子阱的数值研究
机译:所有具有p / n-InGaP电流阻挡层的MOCVD生长的850纳米波长折射率引导的半导体埋入式垂直腔表面发射激光器
机译:InGaP波导层中具有一阶光栅的1060 nm发射的DBR激光器
机译:基于InGaP / InAlGaP的608nm橙色激光和583nm黄色超发光二极管的首次演示
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:鬼臼叶提取物和670 nm InGaP激光在大鼠烧伤修复中的活性
机译:基于InGaP / InAlGaP的橙色激光在608 nm处发射的首次演示
机译:优化的性能Gaas基二极管激光器:可靠的800纳米125W棒和83.5%高效975纳米单发射器