Department of Electronic Electrical Engineering, EPSRC National Centre for III-V Technologies, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, United Kingdom;
quantum dots; threshold current density; characteristic temperature; molecular beam epitaxial growth; semiconductor lasers;
机译:具有非常低的连续波室温阈值电流的高性能三层1.3μmInAs-GaAs量子点激光器
机译:具有低阈值电流密度和室温以上的负特征温度的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器
机译:低阈值InAs-GaAs 1.3- / splμ/ m量子点激光器中的重组和损失机理
机译:具有低阈值电流和负特性温度的高性能1.3-μminas / gaas量子点激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud